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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.22 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 特性阻抗： | 50 Ω |
| 最大变频损耗： | 12 dB | 调制技术： | I/Q |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 射频/微波设备类型： | DEMODULATOR | 最大电压驻波比： | 1.5 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IDP30C65D2 | INFINEON |
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Rapid 2 650 V 开关, 30 A发射极控制 硅功率二极管 具有TO-220 封 |
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| IDP30E060 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Element, 30A, 600V V(RRM), |
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| IDP30E120 | INFINEON |
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Fast Switching EmCon Diode |
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| IDP30E120_09 | INFINEON |
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Fast Switching Diode |
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| IDP30E120XKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 1200V V(RRM), Silicon, TO-220, ROHS COMPLIANT, P |
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| IDP30E60 | INFINEON |
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Fast Switching EmCon Diode |
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| IDP30E60 | THINKISEMI |
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30Amperes,600Volts SwitchMode Ultrafast Recovery Epitaxial Diode |
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| IDP30E60_09 | INFINEON |
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Fast Switching Diode |
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| IDP30E65D1 | INFINEON |
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Rapid 1 650 V 开关,?30 A 发射极控制power 硅功率二极管 ??具有 |
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| IDP30E65D1XKSA1 | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 650V V(RRM), Silicon, TO-220AC, |
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