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IDP30E65D2

更新时间: 2024-11-22 11:12:15
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英飞凌 - INFINEON 软恢复二极管快速软恢复二极管局域网开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 1721K
描述
Rapid 2  650 V 开关, 30 A 发射极控制硅功率二极管具有 TO-220 real2pin 封装,专为开关频率在40 kHz 到 100 kHz之间的应用而设计。

IDP30E65D2 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:R-PSFM-T2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.71其他特性:PD-CASE
应用:FAST SOFT RECOVERY外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF):2.2 V
JEDEC-95代码:TO-220ACJESD-30 代码:R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流:180 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:60 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:143 W
最大重复峰值反向电压:650 V最大反向电流:40 µA
最大反向恢复时间:0.07 µs表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

IDP30E65D2 数据手册

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Diode  
RapidꢀSwitchingꢀEmitterꢀControlledꢀDiode  
IDP30E65D2  
EmitterꢀControlledꢀDiode  
Dataꢀsheet  
IndustrialꢀPowerꢀControl  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 650V V(RRM), Silicon, TO-220AC,
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