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IDP30E120

更新时间： 2024-02-16 20:21:17
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英飞凌 - INFINEON 整流二极管开关PC局域网快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
9页 212K
描述
Fast Switching EmCon Diode

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IDP30E120 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SFM
包装说明：ROHS COMPLIANT, PG-TO220-2-2, 2 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：1.67
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
2D Presentation：https://componentsearchengine.com/2D/0T/567131.1.1.pngSchematic Symbol：https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=567131
PCB Footprint：https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=5671313D View：https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=567131
Samacsys PartID：567131Samacsys Image：https://componentsearchengine.com/Images/9/IDP30E120.jpg
Samacsys Thumbnail Image：https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/IDP30E120.jpgSamacsys Pin Count：2
Samacsys Part Category：DiodeSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：PG-TO220-2Samacsys Released Date：2018-06-18 15:02:04
Is Samacsys：N其他特性：FAST RECOVERY
应用：FAST RECOVERY配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：2.15 VJEDEC-95代码：TO-220
JESD-30 代码：R-PSFM-T2最大非重复峰值正向电流：102 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：30 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：138 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1200 V最大反向恢复时间：0.126 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

IDP30E120 数据手册

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IDP30E120  
IDB30E120  
Preliminary data  
Fast Switching EmCon Diode  
Product Summary  
Feature  
V
1200  
30  
V
A
V
RRM  
1200 V EmCon technology  
Fast recovery  
Soft switching  
Low reverse recovery charge  
Low forward voltage  
Easy paralleling  
I
F
V
1.65  
150  
F
T
°C  
jmax  
P-TO220-3.SMD  
P-TO220-2-2.  
Type  
Package  
Ordering Code Marking Pin 1 PIN 2 PIN 3  
IDP30E120  
IDB30E120  
P-TO220-2-2.  
P-TO220-3.SMD Q67040-S4383  
Q67040-S4390  
C
A
C
-
A
D30E120  
D30E120 NC  
Maximum Ratings,at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Symbol  
Value  
1200  
Unit  
V
V
RRM  
Continous forward current  
I
A
F
T =25°C  
50  
30  
C
T =90°C  
C
Surge non repetitive forward current  
I
FSM  
102  
T =25°C, t =10 ms, sine halfwave  
C
p
Maximum repetitive forward current  
I
FRM  
76.5  
T =25°C, t limited by T  
jmax  
, D=0.5  
C
p
Power dissipation  
P
W
tot  
T =25°C  
138  
66  
C
T =90°C  
C
-55...+150  
260  
°C  
°C  
Operating and storage temperature  
T , T  
j stg  
S
Soldering temperature  
T
1.6mm(0.063 in.) from case for 10s  
Page 1  
2001-12-12  
1234567...9

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