5秒后页面跳转
IDP30E65D1XKSA1 PDF预览

IDP30E65D1XKSA1

更新时间: 2024-11-18 19:02:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 超快恢复二极管快速恢复二极管局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 1699K
描述
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 650V V(RRM), Silicon, TO-220AC,

IDP30E65D1XKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.80
Factory Lead Time:20 weeks风险等级:2.26
其他特性:FREE WHEELING DIODE, PD-CASE应用:ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.7 VJEDEC-95代码:TO-220AC
JESD-30 代码:R-PSFM-T2JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:180 A元件数量:1
相数:1端子数量:2
最高工作温度:175 °C最低工作温度:-40 °C
最大输出电流:60 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED最大功率耗散:143 W
最大重复峰值反向电压:650 V最大反向电流:40 µA
最大反向恢复时间:0.095 µs表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

IDP30E65D1XKSA1 数据手册

 浏览型号IDP30E65D1XKSA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IDP30E65D1XKSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IDP30E65D1XKSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IDP30E65D1XKSA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IDP30E65D1XKSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IDP30E65D1XKSA1的Datasheet PDF文件第7页 
Diode  
RapidꢀSwitchingꢀEmitterꢀControlledꢀDiode  
IDP30E65D1  
EmitterꢀControlledꢀDiodeꢀRapidꢀ1ꢀSeries  
Dataꢀsheet  
IndustrialꢀPowerꢀControl  

与IDP30E65D1XKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IDP30E65D2 INFINEON

获取价格

Rapid 2  650 V 开关, 30 A 发射极控制硅功率二极管具有 TO-220
IDP30E65D2XKSA1 INFINEON

获取价格

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 60A, 650V V(RRM), Silicon, TO-220AC,
IDP31-104 ADVANTECH

获取价格

100% flat fronted touch and non-touch
IDP31-104-P40DVB1E ADVANTECH

获取价格

100% flat fronted touch and non-touch
IDP31-104-P40DVW1E ADVANTECH

获取价格

100% flat fronted touch and non-touch
IDP-314-G SAMTEC

获取价格

Interconnection Device
IDP-314-T SAMTEC

获取价格

Interconnection Device
IDP-316-G SAMTEC

获取价格

Interconnection Device
IDP-316-T SAMTEC

获取价格

Interconnection Device
IDP3A01 HP

获取价格

Pompa per vuoto scroll a secco