IDP09E120

更新时间： 2024-02-24 12:01:02

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管开关局域网快速恢复二极管
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Fast Switching EmCon Diode

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IDP09E120 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AC
包装说明：	R-PSFM-T2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	应用：	FAST RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-220AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	23 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	69 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	最大反向恢复时间：	0.14 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IDP09E120 数据手册

IDP09E120

IDB09E120

5 Typ. reverse recovery time

t = f (di /dt)

6 Typ. reverse recovery charge

Q =f(di /dt)

parameter: V = 800V, T = 125°C

parameter: V = 800V, T = 125 °C

R j

690

2000

18A

590

540

490

440

390

340

290

240

190

140

1800

1700

1600

1500

1400

1300

1200

1100

1000

900

18A

4,5A

200 300 400 500 600 700 800

1000

200 300 400 500 600 700 800

1000

A/µs

di /dt

A/µs

di /dt

7 Typ. reverse recovery current

8 Typ. reverse recovery softness factor

S = f(di /dt)

I = f (di /dt)

parameter: V = 800V, T = 125°C

R j

18A

4,5A

18A

4,5A

200 300 400 500 600 700 800

1000

200 300 400 500 600 700 800

1000

A/µs

di /dt

A/µs

di /dt

Page 5

Rev.2

2003-07-31

1 2 3 456 7 8 9

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