IDP09E120

更新时间： 2024-01-13 06:28:43

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管开关局域网快速恢复二极管
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Fast Switching EmCon Diode

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IDP09E120 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AC
包装说明：	R-PSFM-T2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	应用：	FAST RECOVERY
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JEDEC-95代码：	TO-220AC
JESD-30 代码：	R-PSFM-T2	最大非重复峰值正向电流：	50 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	最大输出电流：	23 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
最大功率耗散：	69 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	1200 V	最大反向恢复时间：	0.14 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IDP09E120 数据手册

IDP09E120

IDB09E120

Electrical Characteristics, at T = 25 °C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Values

typ. max.

Unit

min.

Dynamic Characteristics

Reverse recovery time

V =800V, I =9A, di /dt=750A/µs, T =25°C

140

200

210

V =800V, I =9A, di /dt=750A/µs, T =125°C

V =800V, I =9A, di /dt=750A/µs, T =150°C

Peak reverse current

rrm

V =800V, I = 9 A, di /dt=750A/µs, T =25°C

13.3

16.1

16.5

V =800V, I =9A, di /dt=750A/µs, T =125°C

V =800V, I =9A, di /dt=750A/µs, T =150°C

Reverse recovery charge

V =800V, I =9A, di /dt=750A/µs, T =25°C

950

1470

1600

V =800V, I =9A, di /dt=750A/µs, T =125°C

V =800V, I =9A, di /dt=750A/µs, T =150°C

Reverse recovery softness factor

V =800V, I =9A, di /dt=750A/µs, T =25°C

5.4

6.5

6.6

V =800V, I =9A, di /dt=750A/µs, T =125°C

V =800V, I =9A, di /dt=750A/µs, T =150°C

Page 3

Rev.2

2003-07-31

1 234 5 6 7...9

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