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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.83 |
| 其他特性： | HIGH RELIABILITY | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 0.785 A |
| 断态重复峰值电压： | 300 V | 重复峰值反向电压： | 300 V |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ID1006 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
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| ID101 | INTERSIL |
获取价格 |
N-CHANNEL JFET |
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| ID101 | MICROSS |
获取价格 |
a low leakage Monolithic Dual Pico-Amp Diode |
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| ID101 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs .5 Amp, Planar |
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| ID101 | Linear Systems |
获取价格 |
MONOLITHIC DUAL PICO AMPERE DIODES |
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| ID101_TO-71 | MICROSS |
获取价格 |
a low leakage Monolithic Dual Pico-Amp Diode |
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| ID1014 | ETC |
获取价格 |
White Bronze |
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| ID1015 | ETC |
获取价格 |
Cable Stripping Process for SSMT Surface Mount Connector Series |
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| ID1016 | ETC |
获取价格 |
SSMT Next Generation Surface Mount |
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| ID1018 | ETC |
获取价格 |
Intermodulation in RF Coaxial Connectors |
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