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ID1005

更新时间: 2024-11-11 21:04:51
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 86K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 300V V(DRM), 300V V(RRM), 1 Element, TO-18

ID1005 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.83
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:0.2 mAJEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:0.785 A
断态重复峰值电压:300 V重复峰值反向电压:300 V
表面贴装:NO端子面层:TIN LEAD
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

ID1005 数据手册

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