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ID1006

更新时间: 2024-01-23 20:34:57
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
3页 86K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-18

ID1006 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.83其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:0.2 mA
JEDEC-95代码:TO-18JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:0.785 A断态重复峰值电压:400 V
重复峰值反向电压:400 V表面贴装:NO
端子面层:TIN LEAD端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

ID1006 数据手册

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