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ID104E3

更新时间: 2024-02-25 00:10:41
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美高森美 - MICROSEMI 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 70K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-18

ID104E3 技术参数

生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.30.00.80风险等级:5.6
其他特性:HIGH RELIABILITY配置:SINGLE
最大直流栅极触发电流:0.2 mAJEDEC-95代码:TO-18
JESD-30 代码:O-MBCY-W3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-65 °C封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
最大均方根通态电流:0.785 A断态重复峰值电压:200 V
重复峰值反向电压:200 V表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

ID104E3 数据手册

  

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