生命周期: | Active | 包装说明: | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.30.00.80 | 风险等级: | 5.6 |
其他特性: | HIGH RELIABILITY | 配置: | SINGLE |
最大直流栅极触发电流: | 0.2 mA | JEDEC-95代码: | TO-18 |
JESD-30 代码: | O-MBCY-W3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | METAL |
封装形状: | ROUND | 封装形式: | CYLINDRICAL |
最大均方根通态电流: | 0.785 A | 断态重复峰值电压: | 200 V |
重复峰值反向电压: | 200 V | 表面贴装: | NO |
端子形式: | WIRE | 端子位置: | BOTTOM |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
ID105 | MICROSEMI |
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SCRs .5 Amp, Planar | |
ID106 | MICROSEMI |
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SCRs .5 Amp, Planar | |
ID10FFX60U1S_A | STARPOWER |
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U1.0-IPM Modules | |
ID116OG | ETC |
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Optoelectronic | |
ID116RG | ETC |
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Optoelectronic | |
ID1205SA | XPPOWER |
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Single & Dual Output | |
ID1209SA | XPPOWER |
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Single & Dual Output | |
ID121215 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) | |
ID121220 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) | |
ID121230 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 300A I(C) |