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ID121215

更新时间: 2024-01-19 20:58:15
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其他 - ETC 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 336K
描述
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C)

ID121215 技术参数

生命周期:Active包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.72
Is Samacsys:N最大集电极电流 (IC):150 A
集电极-发射极最大电压:1200 V门极-发射极最大电压:20 V
元件数量:2最高工作温度:150 °C
最大功率耗散 (Abs):1500 W子类别:Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max:5 VBase Number Matches:1

ID121215 数据手册

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