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ID121K30

更新时间: 2024-01-28 03:33:10
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其他 - ETC 晶体晶体管双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 195K
描述
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1KV V(BR)CES | 300A I(C)

ID121K30 技术参数

生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):300 A
集电极-发射极最大电压:1000 V门极-发射极最大电压:15 V
元件数量:2最高工作温度:150 °C
最大功率耗散 (Abs):2100 W子类别:Insulated Gate BIP Transistors
VCEsat-Max:5 V

ID121K30 数据手册

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