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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.06 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH RELIABILITY |
| 标称电路换相断开时间： | 8 µs | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 0.2 mA | 最大直流栅极触发电压： | 0.8 V |
| 最大维持电流： | 5 mA | JEDEC-95代码： | TO-18 |
| JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -65 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 0.785 A |
| 重复峰值关态漏电流最大值： | 50 µA | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| ID104E3 | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 0.785A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-18 |
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| ID105 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs .5 Amp, Planar |
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| ID106 | MICROSEMI |
获取价格 |
SCRs .5 Amp, Planar |
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| ID10FFX60U1S_A | STARPOWER |
获取价格 |
U1.0-IPM Modules |
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| ID116OG | ETC |
获取价格 |
Optoelectronic |
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| ID116RG | ETC |
获取价格 |
Optoelectronic |
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| ID1205SA | XPPOWER |
获取价格 |
Single & Dual Output |
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| ID1209SA | XPPOWER |
获取价格 |
Single & Dual Output |
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| ID121215 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 150A I(C) |
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| ID121220 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 200A I(C) |
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