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IC41LV1665-40T

更新时间: 2024-01-25 14:42:53
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 232K
描述
Fast Page DRAM, 64KX16, 40ns, CMOS, PDSO40, 0.400 INCH, TSOP2-40

IC41LV1665-40T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:TSOP, TSOP40/44,.46,32Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83最长访问时间:40 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G40
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:16
端子数量:40字数:65536 words
字数代码:64000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64KX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装等效代码:TSOP40/44,.46,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:256自我刷新:NO
最大待机电流:0.0005 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.12 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

IC41LV1665-40T 数据手册

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IC41C1665  
IC41LV1665  
Document Title  
64K x16 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode  
Revision History  
Revision No  
History  
Draft Date  
Remark  
0A  
Initial Draft  
October 17,2001  
The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and  
products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
DR031-0A 10/17/2001  
1

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