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IC41LV4100-60J

更新时间: 2024-09-25 04:44:11
品牌 Logo 应用领域
矽成 - ICSI 存储内存集成电路光电二极管动态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 300K
描述
1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode

IC41LV4100-60J 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Transferred
包装说明:SOJ, SOJ20/26,.34Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83Is Samacsys:N
最长访问时间:60 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J20JESD-609代码:e0
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4端子数量:20
字数:1048576 words字数代码:1000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ20/26,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE电源:3.3 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
自我刷新:NO最大待机电流:0.0005 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.085 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

IC41LV4100-60J 数据手册

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IC41C4100  
IC41LV4100  
Document Title  
1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode  
Revision History  
Revision No  
History  
Draft Date  
Remark  
0A  
Initial Draft  
September 5,2001  
The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and  
products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
DR027-0A 09/05/2001  
1

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