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IC41LV44002-50J

更新时间: 2024-01-10 23:44:18
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 196K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24

IC41LV44002-50J 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ-26/24Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.83Is Samacsys:N
访问模式:EDO PAGE最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY CAS BEFORE RAS /HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J24JESD-609代码:e0
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:EDO DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:24
字数:4194304 words字数代码:4000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ24/26,.34封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048反向引出线:NO
自我刷新:NO最大待机电流:0.0005 A
最大压摆率:0.12 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

IC41LV44002-50J 数据手册

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IC41C4400x and IC41LV4400x Series  
Document Title  
4Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode  
Revision History  
Revision No  
History  
Draft Date  
Remark  
0A  
0B  
Initial Draft  
add Industrial grade parts  
May 20,2001  
October 17,2002  
Preliminary  
The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and  
products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
DR007-0B 10/17/2002  
1

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