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IC41LV4100-35JI

更新时间： 2024-02-05 14:15:17

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IC41LV4100-35JI 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	0.300 INCH, TSOP2-26/20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	访问模式：	EDO PAGE
最长访问时间：	35 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G20
JESD-609代码：	e0	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	1MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	TSOP20/26,.36	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.0005 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

IC41C4100

IC41LV4100

Document Title

1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode

Revision History

Revision No

History

Draft Date

Remark

Initial Draft

September 5,2001

The attached datasheets are provided by ICSI. Integrated Circuit Solution Inc reserve the right to change the specifications and

products. ICSI will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the ICSI offices.

Integrated Circuit Solution Inc.

DR027-0A 09/05/2001

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IC41LV4100-35T	ICSI	获取价格	1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IC41LV4100-50J	ICSI	获取价格	1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IC41LV4100-50JI	ICSI	获取价格	1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IC41LV4100-50T	ICSI	获取价格	1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IC41LV4100-50TI	ICSI	获取价格	1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IC41LV4100-60J	ICSI	获取价格	1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IC41LV4100-60JI	ICSI	获取价格	1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IC41LV4100-60T	ICSI	获取价格	1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IC41LV4100-60TI	ICSI	获取价格	1Mx4 bit Dynamic RAM with EDO Page Mode
IC41LV4105	ICSI	获取价格	1Mx4 bit Dynamic RAM with Fast Page Mode