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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | SOJ, SOJ42,.44 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 60 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-J42 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型： | EDO DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 42 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 1MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOJ | 封装等效代码： | SOJ42,.44 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 自我刷新： | YES |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.145 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IC41LV16100S-60KIG | ICSI |
获取价格 |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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| IC41LV16100S-60T | ICSI |
获取价格 |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
|
| IC41LV16100S-60TG | ICSI |
获取价格 |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
|
| IC41LV16100S-60TI | ICSI |
获取价格 |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
|
| IC41LV16100S-60TIG | ICSI |
获取价格 |
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH EDO PAGE MODE |
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| IC41LV16105 | ETC |
获取价格 |
1M X 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |
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| IC41LV16105-50K | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 |
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| IC41LV16105-50K | ICSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, |
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| IC41LV16105-50KI | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 |
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| IC41LV16105-50KI | ICSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, |
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