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IC41LV16105-50K

更新时间： 2024-02-23 03:24:25
品牌 Logo 应用领域
矽成 - ICSI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 188K
描述
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42,

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IC41LV16105-50K 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SOJ, SOJ42,.44Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.83最长访问时间：50 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J42
JESD-609代码：e0内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：16
端子数量：42字数：1048576 words
字数代码：1000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ42,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024自我刷新：NO
最大待机电流：0.0005 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.16 mA标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

IC41LV16105-50K 数据手册

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IC41C16105  
IC41LV16105  
1M x 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM  
WITH ꢀAST PAGE MODE  
DESCRIPTION  
ꢀEATURES  
The ICSI IC41C16105 and IC41LV16105 are 1,048,576 x  
16-bit high-performance CMOS Dynamic Random Access  
Memories. <ast Page Mode allows 1,024 random accesses  
within a single row with access cycle time as short as 20 ns per  
16-bit word. The Byte Write control, of upper and lower byte,  
makes the IC41C16105 ideal for use in 16-, 32-bit wide data  
bus systems.  
• TTL compatible inputs and outputs; tristate I/O  
• Refresh Interval: 1,024 cycles/16 ms  
• Refresh Mode: RAS-Only, CAS-before-RAS (CBR),  
Hidden  
• JEDEC standard pinout  
• Single power supply:  
5V ± 10% (IC41C16105)  
3.3V ± 10% (IC41LV16105)  
These features make the IC41C16105 and IC41LV16105  
ideally suited for high-bandwidth graphics, digital signal  
processing, high-performance computing systems, and  
peripheral applications.  
• Byte Write and Byte Read operation via two CAS  
• Industrail temperature range -40oC to 85oC  
The IC41C16105 and IC41LV16105 are packaged in a  
42-pin 400mil SOJ and 400mil 44- (50-) pin TSOP-2.  
KEY TIMING PARAMETERS  
Parameter  
-50  
50  
13  
25  
20  
84  
-60  
60  
15  
30  
25  
Unit  
ns  
Max. RAS Access Time (tRAC)  
Max. CAS Access Time (tCAC)  
Max. Column Address Access Time (tAA)  
Min. ꢀast Page Mode Cycle Time (tPC)  
Min. Read/Write Cycle Time (tRC)  
ns  
ns  
ns  
104  
ns  
PIN CONꢀIGURATIONS  
44(50)-Pin TSOP-2  
42-Pin SOJ  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VCC  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
NC  
1
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
GND  
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
VCC  
I/O0  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VCC  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
NC  
1
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
GND  
2
2
I/O15  
I/O14  
I/O13  
I/O12  
GND  
I/O11  
I/O10  
I/O9  
I/O8  
NC  
3
3
4
4
5
5
6
6
PIN DESCRIPTIONS  
7
7
8
A0-A9  
Address Inputs  
8
9
9
10  
11  
I/O8  
I/O0-15 Data Inputs/Outputs  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
NC  
WE  
Write Enable  
NC  
NC  
WE  
RAS  
NC  
NC  
A0  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
NC  
NC  
LCAS  
UCAS  
OE  
OE  
Output Enable  
LCAS  
UCAS  
OE  
WE  
RAS  
NC  
RAS  
UCAS  
LCAS  
Vcc  
Row Address Strobe  
Upper Column Address Strobe  
Lower Column Address Strobe  
Power  
A9  
A9  
NC  
A8  
A8  
A0  
A7  
A7  
A1  
A6  
A1  
A6  
A2  
A5  
A2  
A5  
A3  
A4  
GND  
NC  
Ground  
A3  
A4  
VCC  
GND  
VCC  
GND  
No Connection  
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which may appear in this publication. © Copyright 2000, Integrated Circuit Solution Inc.  
Integrated Circuit Solution Inc.  
DR014-0A 06/07/2001  
S2-1  
1234567...18

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