是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | 0.400 INCH, SOJ-42 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.83 | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 50 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-J42 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 42 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOJ |
封装等效代码: | SOJ42,.44 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 电源: | 3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 1024 |
自我刷新: | NO | 最大待机电流: | 0.0005 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.16 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | J BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IC41LV16105-50KI | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42 | |
IC41LV16105-50KI | ICSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, | |
IC41LV16105-50T | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | |
IC41LV16105-50T | ICSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, | |
IC41LV16105-50TI | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | |
IC41LV16105-60K | ICSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, | |
IC41LV16105-60KI | ETC |
获取价格 |
1M X 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE | |
IC41LV16105-60T | ISSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | |
IC41LV16105-60T | ICSI |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, | |
IC41LV16105-60TI | ETC |
获取价格 |
1M X 16 (16-MBIT) DYNAMIC RAM WITH FAST PAGE MODE |