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IBM0116400MT1-60 PDF预览

IBM0116400MT1-60

更新时间： 2024-02-11 20:08:07
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 288K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 X 0.675 INCH, TSOP-26/24

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IBM0116400MT1-60 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP2, TSOP24/26,.36
针数：26/24Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G24
JESD-609代码：e0长度：17.14 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP24/26,.36
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.0002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.075 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：7.62 mmBase Number Matches：1

IBM0116400MT1-60 数据手册

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IBM01164004M  
x 412/10, 5.0V. IBM0116400P 4M x 412/10, 3.3V, LP, SR. IBM0116400M 4M x 412/10, 5.0V, LP, SR. IBM0116400B4M x 412/10, 3.3V.  
IBM0116400 IBM0116400M  
IBM0116400B IBM0116400P  
4M x 4 12/10 DRAM  
Features  
• Low Power Dissipation  
• 4,194,304 word by 4 bit organization  
- Active (max) - 85 mA / 75 mA / 65 mA  
- Standby: TTL Inputs (max) - 2.0 mA  
- Standby: CMOS Inputs (max)  
- 1.0 mA (SP version)  
• Single 3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V power supply  
• Standard Power (SP) and Low Power (LP)  
- 0.2 mA (LP version)  
- Self Refresh (LP version only)  
- 200µA (3.3 Volt)  
• 4096 Refresh Cycles  
- 64 ms Refresh Rate (SP version)  
- 256 ms Refresh Rate (LP version)  
- 300µA (5.0 Volt)  
• High Performance:  
• Read-Modify-Write  
-50  
-60  
-70  
• RAS Only and CAS before RAS Refresh  
• Hidden Refresh  
tRAC  
tCAC  
tAA  
RAS Access Time  
50ns  
13ns  
25ns  
60ns  
15ns  
30ns  
70ns  
20ns  
35ns  
CAS Access Time  
• Package: SOJ-28/24 (400milx725mil)  
SOJ-26/24 (300milx675mil)  
Column Address Access Time  
Cycle Time  
tRC  
95ns 110ns 130ns  
35ns 40ns 45ns  
TSOP-26/24 (300milx675mil)  
tPC  
Fast Page Mode Cycle Time  
Description  
vide high performance, low power dissipation, and  
high reliability. The devices operate with a single  
3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V power supply. The 22  
addresses required to access any bit of data are  
multiplexed (12 are strobed with RAS, 10 are  
strobed with CAS).  
The IBM0116400 is a dynamic RAM organized  
4,194,304 words by 4 bits, which has a very low  
“sleep mode” power consumption option. These  
devices are fabricated in IBM’s advanced 0.5µm  
CMOS silicon gate process technology. The circuit  
and process have been carefully designed to pro-  
Pin Assignments (Top View)  
Pin Description  
RAS  
CAS  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Read/Write Input  
Address Inputs  
28/24  
26/24  
WE  
Vcc  
I/O0  
I/O1  
WE  
RAS  
A11  
1
2
3
4
5
6
28  
27  
26  
25  
24  
23  
Vss  
I/O3  
I/O2  
CAS  
OE  
Vcc  
I/O0  
I/O1  
WE  
RAS  
A11  
1
2
3
4
5
6
26  
25  
24  
23  
22  
21  
Vss  
I/O3  
I/O2  
CAS  
OE  
A0 - A11  
OE  
Output Enable  
I/O0 - I/O3  
VCC  
Data Input/Output  
Power (+3.3V or +5.0V)  
Ground  
A9  
A9  
VSS  
A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
9
10  
11  
12  
13  
14  
A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
8
9
10  
11  
12  
13  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
Vss  
19  
18  
17  
16  
15  
14  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
Vss  
Vcc  
Vcc  
©IBM Corporation, 1996. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
43G9396  
SA14-4203-04  
Revised 11/96  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IBM0116400MT1-70 ETC

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 		x4 Fast Page Mode DRAM
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