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IBM0116405MJ1-60 PDF预览

IBM0116405MJ1-60

更新时间： 2024-02-03 20:06:34
品牌 Logo 应用领域
国际商业机器公司 - IBM 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
31页 373K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, TSOJ-26/24

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IBM0116405MJ1-60 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ24/26,.34
针数：24Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：60 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESHI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J24JESD-609代码：e0
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：4功能数量：1
端口数量：1端子数量：24
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX4
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ24/26,.34
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
自我刷新：YES最大待机电流：0.0002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

IBM0116405MJ1-60 数据手册

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Discontinued (9/98 - last order; 3/99 last ship)  
IBM01164054M  
x 412/10, 5.0V, EDOMMDD62DSU-001015231. IBM0116405P4M x 412/10, 3.3V, EDO, LP, SRMMDD62DSU-001015231. IBM0116405M4M x 412/10, 5.0V, EDO, LP, SRMMDD62DSU-001015231. IBM0116405B4M x 412/10, 3.3V, EDOMMDD62DSU-001015231.  
IBM0116405 IBM0116405M  
IBM0116405B IBM0116405P  
4M x 4 12/10 EDO DRAM  
Features  
• Low Power Dissipation  
• 4,194,304 word by 4 bit organization  
- Active (max) - 55 mA / 50 mA  
- Standby: TTL Inputs (max) - 1.0 mA  
- Standby: CMOS Inputs (max)  
- 1.0 mA (SP version)  
• Single 3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V power supply  
• Standard Power (SP) and Low Power (LP)  
- 0.1 mA (LP version)  
- Self Refresh (LP version only)  
- 200µA (3.3 Volt)  
• 4096 Refresh Cycles  
- 64 ms Refresh Rate (SP version)  
- 256 ms Refresh Rate (LP version)  
- 300µA (5.0 Volt)  
• High Performance:  
• Extended Data Out (Hyper Page) Mode  
• Read-Modify-Write  
-50  
50  
13  
25  
84  
-60 Units  
tRAC  
tCAC  
tAA  
RAS Access Time  
CAS Access Time  
Column Address Access Time  
Cycle Time  
60  
15  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
• RAS Only and CAS before RAS Refresh  
• Hidden Refresh  
30  
tRC  
104  
25  
• Package: SOJ 26/24 (300milx675mil)  
TSOP-26/24 (300milx675mil)  
tHPC  
EDO (Hyper Page) Mode Cycle Time 20  
Description  
vide high performance, low power dissipation, and  
high reliability. The devices operate with a single  
3.3V ± 0.3V or 5.0V ± 0.5V power supply. The 22  
addresses required to access any bit of data are  
multiplexed (12 are strobed with RAS, 10 are  
strobed with CAS).  
The IBM0116405 is a dynamic RAM organized  
4,194,304 words by 4 bits, which has a very low  
“sleep mode” power consumption option. These  
devices are fabricated in IBM’s advanced 0.5µm  
CMOS silicon gate process technology. The circuit  
and process have been carefully designed to pro-  
Pin Assignments (Top View)  
Pin Description  
RAS  
CAS  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Read/Write Input  
Address Inputs  
Vcc  
I/O0  
I/O1  
WE  
RAS  
A11  
1
2
3
4
5
6
26  
25  
24  
23  
22  
21  
Vss  
I/O3  
I/O2  
CAS  
OE  
WE  
A0 - A11  
OE  
Output Enable  
I/O0 - I/O3  
VCC  
Data Input/Output  
Power (+3.3V or +5.0V)  
Ground  
A9  
VSS  
A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
8
9
19  
18  
17  
16  
15  
14  
A8  
A7  
A6  
A5  
A4  
Vss  
10  
11  
12  
13  
Vcc  
©IBM Corporation. All rights reserved.  
Use is further subject to the provisions at the end of this document.  
28H4720  
SA14-4226-06  
Revised 4/97  
1234567...31

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IBM0116405MJ1-70 ETC

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 		x4 EDO Page Mode DRAM
IBM0116405MT1-50 IBM

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 		EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 X 0.675 INCH, TSOP2-26/24
IBM0116405MT1-60 IBM

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 		EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 X 0.675 INCH, TSOP2-26/24
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