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IBM0116405MJ1-70

更新时间： 2024-01-17 19:17:09

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IBM0116405MJ1-70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ24/26,.34
针数：	24	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-J24
JESD-609代码：	e0	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ24/26,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IBM0116405MT1-50	IBM	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 X 0.675 INCH, TSOP2-26/24
IBM0116405MT1-60	IBM	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 X 0.675 INCH, TSOP2-26/24
IBM0116405MT1-70	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
IBM0116405PJ1-70	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
IBM0116405PT1-70	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
IBM0116405T1-70	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
IBM01164B0BT3-60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM Module
IBM01164B0BT3-70	IBM	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 X 0.825 INCH, 2 HIGH STACK, TSOJ-32
IBM01164B0T3-60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM Module
IBM01164B0T3-70	IBM	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 X 0.825 INCH, 2 HIGH STACK, TSOJ-32