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IBM0116405MT1-70

更新时间： 2024-02-16 22:53:28

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IBM0116405MT1-70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP2, TSOP24/26,.36
针数：	26/24	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
JESD-609代码：	e0	长度：	17.14 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSOP24/26,.36
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.0002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.065 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IBM0116405PJ1-70	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
IBM0116405PT1-70	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
IBM0116405T1-70	ETC	获取价格	x4 EDO Page Mode DRAM
IBM01164B0BT3-60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM Module
IBM01164B0BT3-70	IBM	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 X 0.825 INCH, 2 HIGH STACK, TSOJ-32
IBM01164B0T3-60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM Module
IBM01164B0T3-70	IBM	获取价格	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 X 0.825 INCH, 2 HIGH STACK, TSOJ-32
IBM01164D0BT3-60	IBM	获取价格	Fast Page DRAM Module, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH X 0.825 INCH, 4 HIGH STACK, TS
IBM01164D0BT3-70	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM Module
IBM01164D0T3-60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM Module