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IBM0116400PJ1-80

更新时间： 2024-02-17 07:04:32

品牌	Logo	应用领域
国际商业机器公司 - IBM		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
29页	1174K
描述
Fast Page DRAM, 4MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 X 0.675 INCH, SOJ-26/24

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IBM0116400PJ1-80 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	24
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	80 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-J24
长度：	17.145 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	3.75 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IBM0116400PT1-50	IBM	Fast Page DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 X 0.675 INCH, TSOP-26/24	获取价格
IBM0116400PT1-70	ETC	x4 Fast Page Mode DRAM	获取价格
IBM0116400T1-70	ETC	x4 Fast Page Mode DRAM	获取价格
IBM0116405BJ1-50	IBM	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 X 0.675 INCH, SOJ-26/24	获取价格
IBM0116405BJ1-60	IBM	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 X 0.675 INCH, SOJ-26/24	获取价格
IBM0116405BJ1-70	ETC	x4 EDO Page Mode DRAM	获取价格