是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | FBGA, BGA54,9X9,32 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.84 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 5.4 ns | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | S-PBGA-B54 | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 16 |
端子数量: | 54 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 16MX16 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA54,9X9,32 |
封装形状: | SQUARE | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.0005 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.09 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYB18L256160BF-7.5 | INFINEON |
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BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM |
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HYB18L256160BF-7.5 | QIMONDA |
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DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
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HYB18L256160BF-75 | INFINEON |
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DRAMs for Mobile Applications |
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HYB18L256160BFL-7.5 | QIMONDA |
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DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
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HYB18L256160BFX-7.5 | QIMONDA |
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DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
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HYB18L256169BF | QIMONDA |
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256-Mbit Mobile-RAM |
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HYB18L256169BF-7.5 | QIMONDA |
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256-Mbit Mobile-RAM |
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HYB18L256169BFX | QIMONDA |
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DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
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HYB18L256169BFX-7.5 | QIMONDA |
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DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
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HYB18L256320CF-6 | QIMONDA |
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Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, |
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