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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | FBGA, BGA60,9X10,32 |
| 针数： | 60 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5.5 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 83 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 2,4,8,16 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| 长度： | 10.5 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 60 |
| 字数： | 16777216 words | 字数代码： | 16000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 16MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA60,9X10,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 1.8 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.05 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 2,4,8,16,FP | 最大待机电流： | 0.0007 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.115 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HYB18M256160CF-6/7.5 | QIMONDA | DRAMs for Mobile Applications |
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| HYB18M256160CF-7.5 | QIMONDA | DDR DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-60 |
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| HYB18M256320CF | QIMONDA | DRAMs for Mobile Applications |
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| HYB18M256320CF-6/7.5 | QIMONDA | DRAMs for Mobile Applications |
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| HYB18M512160AF-7.5 | INFINEON | DDR DRAM, 32MX16, 6.5ns, CMOS, PBGA60 |
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| HYB18M512160AF-8 | INFINEON | DDR DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA60 |
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