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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 最长访问时间： | 6.5 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8,16 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX16 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | FBGA | 封装等效代码： | BGA60,9X10,32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 连续突发长度： | 2,4,8,16 |
| 最大待机电流： | 0.0005 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.09 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| HYB18M512160AF-8 | INFINEON | DDR DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA60 |
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| HYB18M512160BF-6 | QIMONDA | DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit DDR Mobile-RAM RoHS compliant |
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| HYB18M512160BF-7.5 | QIMONDA | DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit DDR Mobile-RAM RoHS compliant |
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| HYB18M512160BFX | QIMONDA | DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit DDR Mobile-RAM |
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| HYB18M512160BFX-7.5 | QIMONDA | DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit DDR Mobile-RAM |
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| HYB18RL25616AC | INFINEON | 256 Mbit DDR Reduced Latency DRAM |
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