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HYB18M1G160DF-7.5

更新时间： 2024-01-26 12:43:03

品牌	Logo	应用领域
奇梦达 - QIMONDA		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
23页	1042K
描述
DDR DRAM, 64MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 9 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC,VFBGA-60

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HYB18M1G160DF-7.5 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	VFBGA,	针数：	60
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.32	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
长度：	12 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	宽度：	9 mm
Base Number Matches：	1

April 2008

HYB18M1G160DF–[6/7.5]

HYB18M1G320DF–[6/7.5]

HYE18M1G160DF–[6/7.5]

HYE18M1G320DF–[6/7.5]

1Gbit DDR Mobile-RAM

DRAMs for Mobile Applications

RoHS Compliant

Advance

Internet Data Sheet

Rev. 0.81

12 3 4 5 6 7...23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYB18M1G161BF-6	QIMONDA	获取价格	1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM
HYB18M1G161BF-7.5	QIMONDA	获取价格	1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM
HYB18M1G320BF	QIMONDA	获取价格	DRAMs for Mobile Applications 1-Gbit x32 DDR Mobile-RAM
HYB18M1G320BF-7.5	QIMONDA	获取价格	DRAMs for Mobile Applications 1-Gbit x32 DDR Mobile-RAM
HYB18M1G320DF-7.5	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA90, 9 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90
HYB18M256160CF-6	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-60
HYB18M256160CF-6/7.5	QIMONDA	获取价格	DRAMs for Mobile Applications
HYB18M256160CF-7.5	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-60
HYB18M256320CF	QIMONDA	获取价格	DRAMs for Mobile Applications
HYB18M256320CF-6/7.5	QIMONDA	获取价格	DRAMs for Mobile Applications