是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA90,9X15,32 |
针数: | 90 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.24 |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 6.5 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8,16 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B90 |
长度: | 12.5 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 32 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 90 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 8MX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TFBGA | 封装等效代码: | BGA90,9X15,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.07 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8,16 | 最大待机电流: | 0.00005 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.27 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.9 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 0.8 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 11 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYB18M1G320DF-7.5 | QIMONDA |
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DDR DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA90, 9 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
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HYB18M256160CF-6 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-60 |
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HYB18M256160CF-6/7.5 | QIMONDA |
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DRAMs for Mobile Applications |
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HYB18M256160CF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-60 |
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HYB18M256320CF | QIMONDA |
获取价格 |
DRAMs for Mobile Applications |
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HYB18M256320CF-6/7.5 | QIMONDA |
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DRAMs for Mobile Applications |
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HYB18M512160AF-7.5 | INFINEON |
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DDR DRAM, 32MX16, 6.5ns, CMOS, PBGA60 |
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HYB18M512160AF-8 | INFINEON |
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DDR DRAM, 32MX16, 7ns, CMOS, PBGA60 |
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HYB18M512160BF-6 | QIMONDA |
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DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit DDR Mobile-RAM RoHS compliant |
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HYB18M512160BF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit DDR Mobile-RAM RoHS compliant |
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