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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | FBGA, BGA90,9X15,32 |
| 针数： | 90 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.84 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 6 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 1,2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B90 |
| 长度： | 12.5 mm | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 32 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 90 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX32 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA90,9X15,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 1.8 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 4096 | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP | 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 1.95 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HYB18L512160BF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit Mobile-RAM |
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| HYB18L512320BF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit SDR Mobile-RAM |
|
| HYB18M1G16 | QIMONDA |
获取价格 |
1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM |
|
| HYB18M1G160BF-6 | QIMONDA |
获取价格 |
1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM |
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| HYB18M1G160BF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM |
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| HYB18M1G160DF-6 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 9 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC,VFBGA-60 |
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| HYB18M1G160DF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 9 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC,VFBGA-60 |
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| HYB18M1G161BF-6 | QIMONDA |
获取价格 |
1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM |
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| HYB18M1G161BF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM |
|
| HYB18M1G320BF | QIMONDA |
获取价格 |
DRAMs for Mobile Applications 1-Gbit x32 DDR Mobile-RAM |
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