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HYB18L256160BFX-7.5

更新时间: 2024-01-13 21:24:39
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奇梦达 - QIMONDA 存储内存集成电路动态存储器时钟
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48页 1590K
描述
DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM

HYB18L256160BFX-7.5 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TFBGA, BGA54,9X9,32
针数:54Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.75Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B54长度:12 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TFBGA
封装等效代码:BGA54,9X9,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.00001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.045 mA最大供电电压 (Vsup):1.95 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HYB18L256160BFX-7.5 数据手册

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January 2007  
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DRAMs for Mobile Applications  
256-Mbit Mobile-RAM  
Mobile-RAM  
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