是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TFBGA, BGA54,9X9,32 |
针数: | 54 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.24 |
风险等级: | 5.75 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 5.4 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 1,2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B54 | 长度: | 12 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM |
内存宽度: | 16 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 54 | 字数: | 16777216 words |
字数代码: | 16000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 16MX16 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TFBGA |
封装等效代码: | BGA54,9X9,32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 1.8 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
最大待机电流: | 0.00001 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.045 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYB18L256169BF | QIMONDA |
获取价格 |
256-Mbit Mobile-RAM |
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HYB18L256169BF-7.5 | QIMONDA |
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256-Mbit Mobile-RAM |
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HYB18L256169BFX | QIMONDA |
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DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
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HYB18L256169BFX-7.5 | QIMONDA |
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DRAMs for Mobile Applications 256-Mbit Mobile-RAM |
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HYB18L256320CF-6 | QIMONDA |
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Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, |
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HYB18L256320CF-7.5 | QIMONDA |
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Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VF |
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HYB18L512160BF-7.5 | QIMONDA |
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DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit Mobile-RAM |
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HYB18L512320BF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit SDR Mobile-RAM |
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HYB18M1G16 | QIMONDA |
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1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM |
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HYB18M1G160BF-6 | QIMONDA |
获取价格 |
1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM |
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