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HYB18M1G161BF-7.5

更新时间： 2024-02-13 07:43:36

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HYB18M1G161BF-7.5 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DSBGA	包装说明：	TFBGA, BGA60,9X10,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.32
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8,16
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	长度：	11 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X10,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.07 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8,16
最大待机电流：	0.0012 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.27 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.5 mm
Base Number Matches：	1

March 2007

HYB18M1G16[0/1]BF–6

HYE18M1G16[0/1]BF–6

HYB18M1G16[0/1]BF–7.5

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DRAMs for Mobile Applications

1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM

RoHS compliant

Data Sheet

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...65

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HYB18M1G320BF	QIMONDA	DRAMs for Mobile Applications 1-Gbit x32 DDR Mobile-RAM	获取价格
HYB18M1G320BF-7.5	QIMONDA	DRAMs for Mobile Applications 1-Gbit x32 DDR Mobile-RAM	获取价格
HYB18M1G320DF-7.5	QIMONDA	DDR DRAM, 8MX16, 6ns, CMOS, PBGA90, 9 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90	获取价格
HYB18M256160CF-6	QIMONDA	DDR DRAM, 16MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-60	获取价格
HYB18M256160CF-6/7.5	QIMONDA	DRAMs for Mobile Applications	获取价格
HYB18M256160CF-7.5	QIMONDA	DDR DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 10 X 10.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, VFBGA-60	获取价格