是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | FBGA, BGA90,9X15,32 |
针数: | 90 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.24 |
风险等级: | 5.84 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 5.5 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 1,2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B90 |
长度: | 12.5 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度: | 32 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 90 | 字数: | 8388608 words |
字数代码: | 8000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 8MX32 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | FBGA | 封装等效代码: | BGA90,9X15,32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, FINE PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 1.8 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 1,2,4,8,FP |
子类别: | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 1.95 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYB18L256320CF-7.5 | QIMONDA |
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Synchronous DRAM, 8MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 10 X 12.50 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC, VF | |
HYB18L512160BF-7.5 | QIMONDA |
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DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit Mobile-RAM | |
HYB18L512320BF-7.5 | QIMONDA |
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DRAMs for Mobile Applications 512-Mbit SDR Mobile-RAM | |
HYB18M1G16 | QIMONDA |
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1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM | |
HYB18M1G160BF-6 | QIMONDA |
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1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM | |
HYB18M1G160BF-7.5 | QIMONDA |
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1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM | |
HYB18M1G160DF-6 | QIMONDA |
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DDR DRAM, 64MX16, 5ns, CMOS, PBGA60, 9 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC,VFBGA-60 | |
HYB18M1G160DF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX16, 6ns, CMOS, PBGA60, 9 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, GREEN, PLASTIC,VFBGA-60 | |
HYB18M1G161BF-6 | QIMONDA |
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1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM | |
HYB18M1G161BF-7.5 | QIMONDA |
获取价格 |
1-Gbit x16 DDR Mobile-RAM |