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HY62U256BP-12I

更新时间: 2024-09-10 18:57:07
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 53K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS

HY62U256BP-12I 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
JESD-30 代码:R-PDIP-T内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
字数:32768 words字数代码:32000
工作模式:ASYNCHRONOUS组织:32KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL认证状态:Not Qualified
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

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