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HY62U8100ALLSR-10I

更新时间: 2024-09-10 14:38:03
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 408K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-32

HY62U8100ALLSR-10I 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP1
包装说明:TSOP1-R,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.84
最长访问时间:100 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e6长度:11.8 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:128KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1-R封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.3 V最小供电电压 (Vsup):2.7 V
标称供电电压 (Vsup):3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
宽度:8 mmBase Number Matches:1

HY62U8100ALLSR-10I 数据手册

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