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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | TSOP1, | 针数： | 32 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.41 | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 120 ns | 其他特性： | BATTERY BACKUP |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e6 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | TIN BISMUTH |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY62U8100ALT1-15 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| HY62U8100ALT1-I-12 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
|
| HY62U8100ALT1-I-15 | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| HY62U8100B | HYNIX |
获取价格 |
128K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM |
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| HY62U8100B-E | HYNIX |
获取价格 |
128K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM |
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| HY62U8100B-I | HYNIX |
获取价格 |
128K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM |
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| HY62U8100BLLG | HYNIX |
获取价格 |
128K x8 bit 3.0V Low Power CMOS slow SRAM |
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| HY62U8100BLLG-100 | HYNIX |
获取价格 |
SRAM, |
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| HY62U8100BLLG-70E | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
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| HY62U8100BLLG-70I | HYNIX |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
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