Datasheet > HY5Y5A6DF-HF

HY5Y5A6DF-HF

更新时间： 2024-02-17 23:46:15

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	214K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY5Y5A6DF-HF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	5.4 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	S-PBGA-B54	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	FBGA	封装等效代码：	BGA54,9X9,32
封装形状：	SQUARE	封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.00035 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.18 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

HY5Y5A6DF-HF 数据手册

Preliminary

HY5Y5A6D(L/S)F(P)-xF

4Banks x 4M x 16bits Synchronous DRAM

DC CHARACTERISTICS II (TA= -25 to 70 C)

Speed

Parameter

Symbol

Test Condition

Unit Note

Burst length=1, One bank active

tRC ≥ tRC(min), IOL=0mA

Operating Current

IDD1

IDD2P

CKE ≤ VIL(max), tCK = 15ns

CKE ≤ VIL(max), tCK = ∞

0.5

Precharge Standby Current

in Power Down Mode

IDD2PS

0.35

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCK = 15ns

Input signals are changed one time during

2clks.

IDD2N

Precharge Standby Current

in Non Power Down Mode

All other pins ≥ VDD-0.2V or ≤ 0.2V

CKE ≥ VIH(min), tCK = ∞

Input signals are stable.

IDD2NS

IDD3P

CKE ≤ VIL(max), tCK = 15ns

CKE ≤ VIL(max), tCK = ∞

Active Standby Current

in Power Down Mode

IDD3PS

CKE ≥ VIH(min), CS ≥ VIH(min), tCK = 15ns

Input signals are changed one time during

2clks.

IDD3N

Active Standby Current

in Non Power Down Mode

All other pins ≥ VDD-0.2V or ≤ 0.2V

CKE ≥ VIH(min), tCK = ∞

Input signals are stable.

IDD3NS

Burst Mode Operating

Current

tCK ≥ tCK(min), IOL=0mA

All banks active

IDD4

IDD5

120

180

Auto Refresh Current

tRC ≥ tRC(min), All banks active

See

Page

Self Refresh Current

IDD6

IDD7

CKE ≤ 0.2V

Standby Current in

Deep Power Down Mode

See p.24~25

Note :

1. IDD1 and IDD4 depend on output loading and cycle rates. Specified values are measured with the output open

2. See the tables of next page for more specific IDD6 current values.

- Low Power

: HY5Y5A6DLF(P) Series

: HY5Y5A6DSF(P) Series

- Super Low Power

Rev 0.3 / Aug. 2003

1...16 17 181920 21 22...25

下载PDF

与HY5Y5A6DF-HF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5Y5A6DF-PF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DFP-HF	HYNIX	DRAM	获取价格
HY5Y5A6DF-SF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DLF-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, FBGA-54	获取价格
HY5Y5A6DLF-PF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 7ns, CMOS, PBGA54	获取价格
HY5Y5A6DLFP-HF	HYNIX	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54	获取价格