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HY5Y5A6DF-HF

更新时间: 2024-02-10 03:07:51
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 时钟动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 214K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54

HY5Y5A6DF-HF 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:FBGA, BGA54,9X9,32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:5.4 ns最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:S-PBGA-B54内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:16
端子数量:54字数:16777216 words
字数代码:16000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:-25 °C组织:16MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:FBGA封装等效代码:BGA54,9X9,32
封装形状:SQUARE封装形式:GRID ARRAY, FINE PITCH
电源:3/3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.00035 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.18 mA表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:0.8 mm
端子位置:BOTTOMBase Number Matches:1

HY5Y5A6DF-HF 数据手册

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Preliminary  
HY5Y5A6D(L/S)F(P)-xF  
4Banks x 4M x 16bits Synchronous DRAM  
PACKAGE INFORMATION  
54 Ball 0.8mm pitch 8mm FBGA  
Unit [mm]  
8.0  
6.40BSC  
0.80(Typ)  
A1 INDEX MARK  
0.8  
0.80(Typ)  
0.450±0.05  
Bottom  
View  
0.340±0.05  
4.00±0.05  
3.20 ± 0.05  
1.20 max  
Rev 0.3 / Aug. 2003  
25  

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