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HY5V66ELF6P-6

更新时间： 2024-01-04 11:36:49
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 220K
描述
64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

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HY5V66ELF6P-6 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA60,7X15,25
针数：60Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.84访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：5.5 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：166 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PBGA-B60
JESD-609代码：e1长度：10.1 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：60
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA60,7X15,25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.1 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.65 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：6.4 mm
Base Number Matches：1

HY5V66ELF6P-6 数据手册

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11Preliminary  
Synchronous DRAM Memory 64Mbit (4Mx16bit)  
HY5V66E(L)F6(P) Series  
AC CHARACTERISTICS I (AC operating conditions unless otherwise noted)  
5
6
7
H
P
Parameter  
CAS  
Symbol  
Unit Note  
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max  
tCK3  
tCK2  
5.0  
10  
6.0  
10  
7.0  
10  
7.5  
10  
10  
10  
ns  
ns  
Latency=3  
System Clock  
Cycle Time  
1000  
1000  
1000  
1000  
1000  
CAS  
Latency=2  
Clock High Pulse Width  
Clock Low Pulse Width  
CAS  
tCHW  
tCLW  
2.0  
2.0  
-
-
2.5  
2.5  
-
-
3.0  
3.0  
-
-
3.0  
3.0  
-
-
3.0  
3.0  
-
-
ns  
ns  
1
1
tAC3  
tAC2  
-
-
4.5  
6.0  
-
-
5.5  
6.0  
-
-
5.5  
6.0  
-
-
5.5  
6.0  
-
-
5.5  
6.0  
ns  
ns  
Latency=3  
Access Time  
From Clock  
2
CAS  
Latency=2  
Data-out Hold Time  
Data-Input Setup Time  
Data-Input Hold Time  
Address Setup Time  
Address Hold Time  
CKE Setup Time  
tOH  
tDS  
tDH  
tAS  
2.0  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
1.5  
0.8  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0  
2.0  
1.0  
2.0  
1.0  
2.0  
1.0  
2.0  
1.0  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
1
1
1
1
1
1
1
1
tAH  
tCKS  
tCKH  
tCS  
CKE Hold Time  
Command Setup Time  
Command Hold Time  
tCH  
CLK to Data Output in Low-Z  
Time  
tOLZ  
1.0  
-
1.0  
-
1.5  
-
1.5  
-
2.0  
-
ns  
ns  
ns  
CAS  
Latency=3  
tOHZ3  
tOHZ2  
-
-
4.5  
6.0  
-
-
5.5  
6.0  
-
-
5.5  
6.0  
-
-
6.0  
6.0  
-
-
6.0  
6.0  
CLK to  
Data Output  
in High-Z Time  
CAS  
Latency=2  
Note :  
1. Assume tR / tF (input rise and fall time) is 1ns. If tR & tF > 1ns, then [(tR+tF)/2-1]ns should be added to the parameter.  
2. Access time to be measured with input signals of 1V/ns edge rate, from 0.8V to 0.2V. If tR > 1ns,  
then (tR/2-0.5)ns should be added to the parameter.  
Rev. 0.2 / June. 2005  
9
1...6789101112

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HY5V66ELF6P-7 HYNIX 64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

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