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HY5V66ELF6P-6

更新时间： 2024-02-22 03:35:21
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器
页数 文件大小 规格书
12页 220K
描述
64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

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HY5V66ELF6P-6 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：TFBGA, BGA60,7X15,25
针数：60Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.84访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：5.5 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：166 MHzI/O 类型：COMMON
交错的突发长度：1,2,4,8JESD-30 代码：R-PBGA-B60
JESD-609代码：e1长度：10.1 mm
内存密度：67108864 bit内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：60
字数：4194304 words字数代码：4000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA60,7X15,25
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：260电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：1.1 mm自我刷新：YES
连续突发长度：1,2,4,8,FP最大待机电流：0.002 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：BALL
端子节距：0.65 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：20宽度：6.4 mm
Base Number Matches：1

HY5V66ELF6P-6 数据手册

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11Preliminary  
Synchronous DRAM Memory 64Mbit (4Mx16bit)  
HY5V66E(L)F6(P) Series  
ABSOLUTE MAXIMUM RATING  
Parameter  
Symbol  
Rating  
Unit  
oC  
Ambient Temperature  
TA  
0 ~ 70  
oC  
V
V
mA  
W
Storage Temperature  
TSTG  
VIN, VOUT  
VDD, VDDQ  
IOS  
-55 ~ 125  
-1.0 ~ 4.6  
-1.0 ~ 4.6  
50  
Voltage on Any Pin relative to VSS  
Voltage on VDD supply relative to VSS  
Short Circuit Output Current  
Power Dissipation  
PD  
1
Soldering Temperature . Time  
260 . 10  
oC . Sec  
TSOLDER  
o
DC OPERATING CONDITION (TA= 0 to 70 C)  
Parameter  
Power Supply Voltage  
Input High Voltage  
Input Low Voltage  
Symbol  
VDD, VDDQ  
VIH  
Min  
3.0  
2.0  
Typ  
3.3  
3.0  
-
Max  
Unit  
Note  
1
1, 2  
1, 3  
3.6  
VDDQ+0.3  
0.8  
V
V
V
VIL  
-0.3  
Note: 1. All voltages are referenced to VSS = 0V  
2. VIH (max) is acceptable 5.6V AC pulse width with <=3ns of duration.  
3. VIL (min) is acceptable -2.0V AC pulse width with <=3ns of duration.  
o
AC OPERATING TEST CONDITION (TA= 0 to 70 C, VDD=3.3±0.3V, VSS=0V)  
Parameter  
AC Input High / Low Level Voltage  
Input Timing Measurement Reference Level Voltage  
Input Rise / Fall Time  
Output Timing Measurement Reference Level Voltage  
Output Load Capacitance for Access Time Measurement  
Symbol  
VIH / VIL  
Vtrip  
tR / tF  
Voutref  
CL  
Value  
2.4 / 0.4  
1.4  
Unit  
V
V
ns  
V
pF  
Note  
1
1.4  
30  
1
Note 1.  
Vtt=1.4V  
Vtt=1.4V  
RT=500 Ω  
RT=50 Ω  
Output  
Z0 = 50Ω  
Output  
30pF  
30pF  
DC Output Load Circuit  
AC Output Load Circuit  
Rev. 0.2 / June. 2005  
6
1...3456789...12

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