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HY5V66ELF6P-7

更新时间： 2024-01-02 15:13:54

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海力士 - HYNIX		动态存储器
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12页	220K
描述
64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

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HY5V66ELF6P-7 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA60,7X15,25	针数：	60
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	5.5 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	143 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	10.1 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA60,7X15,25	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	座面最大高度：	1.1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	1,2,4,8,FP
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.12 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	20
宽度：	6.4 mm	Base Number Matches：	1

HY5V66ELF6P-7 数据手册

64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O

Document Title

4Bank x 1M x 16bits Synchronous DRAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Date

Remark

0.01

Initial Draft

Dec. 2004

Preliminary

1. Editorial chage

0.80Typ --> 0.45 +/-0.05 (page12, Ball Dimension)

Before dimension :

0.65 Typ.

0.80 Typ.

0.2

June. 2005

Preliminary

After dimension :

0.65 Typ.

0.450 +/- 0.05

2. Added

Speed Product(100MHz CL2) (see to Page 02)

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix does not assume any responsibility for

use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.2 / June. 2005

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HY5V66ELF6P-H	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66ELF6P-P	HYNIX	64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O	获取价格
HY5V66ELFP-7	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEA	获取价格
HY5V66ELFP-HI	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, FBGA-54	获取价格
HY5V66FFP-6	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBG	获取价格
HY5V66FFP-6I	HYNIX	Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBG	获取价格