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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP2 |
| 包装说明： | SOP, | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | JESD-30 代码： | R-PDSO-G |
| 内存密度： | 67108864 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 组织： | 4MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOP |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY57V641621TC-10 | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
|
| HY57V641621TC-7 | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
|
| HY57V641621TC-8 | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
|
| HY57V643220CLT-43 | ETC |
获取价格 |
x32 SDRAM |
|
| HY57V643220CLT-47 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
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| HY57V643220CLT-5 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V643220CLT-55 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V643220CLT-55I | ETC |
获取价格 |
SDRAM|4X512KX32|CMOS|TSSOP|86PIN|PLASTIC |
|
| HY57V643220CLT-5I | ETC |
获取价格 |
x32 SDRAM |
|
| HY57V643220CLT-6 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
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