HY57V643220CLT-S

更新时间： 2024-11-26 22:51:27

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器
页数	文件大小	规格书
12页	184K
描述
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

HY57V643220CLT-S 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2, TSSOP86,.46,20	针数：	86
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.82
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	1,2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G86	JESD-609代码：	e6
长度：	22.22 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	86	字数：	2097152 words
字数代码：	2000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	2MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP86,.46,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.19 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

HY57V643220CLT-S 数据手册

HY57V643220C

4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM

DESCRIPTION

The Hynix HY57V643220C is a 67,108,864-bit CMOS Synchronous DRAM, ideally suited for the memory applications

which require wide data I/O and high bandwidth. HY57V643220C is organized as 4banks of 524,288x32.

HY57V643220C is offering fully synchronous operation referenced to a positive edge of the clock. All inputs and out-

puts are synchronized with the rising edge of the clock input. The data paths are internally pipelined to achieve very

high bandwidth. All input and output voltage levels are compatible with LVTTL.

Programmable options include the length of pipeline (Read latency of 2 or 3), the number of consecutive read or write

cycles initiated by a single control command (Burst length of 1,2,4,8 or full page), and the burst count

sequence(sequential or interleave). A burst of read or write cycles in progress can be terminated by a burst terminate

command or can be interrupted and replaced by a new burst read or write command on any cycle. (This pipelined

design is not restricted by a `2N` rule.)

FEATURES

•

JEDEC standard 3.3V power supply

•

Auto refresh and self refresh

All device pins are compatible with LVTTL interface

4096 refresh cycles / 64ms

JEDEC standard 400mil 86pin TSOP-II with 0.5mm of

pin pitch

Programmable Burst Length and Burst Type

- 1, 2, 4, 8 or full page for Sequential Burst

- 1, 2, 4 or 8 for Interleave Burst

•

All inputs and outputs referenced to positive edge of

system clock

•

Data mask function by DQM0,1,2 and 3

Internal four banks operation

•

Programmable CAS Latency ; 2, 3 Clocks

Burst Read Single Write operation

ORDERING INFORMATION

Part No.

Clock Frequency

Power

Organization

Interface

Package

HY57V643220C(L)T-47

HY57V643220C(L)T-5

HY57V643220C(L)T-55

HY57V643220C(L)T-6

HY57V643220C(L)T-7

HY57V643220C(L)T-8

HY57V643220C(L)T-P

HY57V643220C(L)T-S

212MHz

200MHz

183MHz

166MHz

143MHz

125MHz

100MHz

Normal/

Low Power

4Banks x

512Kbits x32

400mil 86pin

TSOP II

LVTTL

This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any

responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.

Rev. 0.8/Aug. 02

12 3 4 5 6 7...12

中文翻译

下载PDF

与HY57V643220CLT-S相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY57V643220CLT-SI	ETC	获取价格	SDRAM\|4X512KX32\|CMOS\|TSSOP\|86PIN\|PLASTIC
HY57V643220CT	HYNIX	获取价格	4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V643220CT-43	ETC	获取价格	x32 SDRAM
HY57V643220CT-47	HYNIX	获取价格	4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V643220CT-5	HYNIX	获取价格	4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V643220CT-55	HYNIX	获取价格	4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V643220CT-55I	ETC	获取价格	SDRAM\|4X512KX32\|CMOS\|TSSOP\|86PIN\|PLASTIC
HY57V643220CT-5I	ETC	获取价格	x32 SDRAM
HY57V643220CT-6	HYNIX	获取价格	4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM
HY57V643220CT-6I	ETC	获取价格	SDRAM\|4X512KX32\|CMOS\|TSSOP\|86PIN\|PLASTIC

与HY57V643220CLT-S相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

47
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

35
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

64
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

61

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HY57V643220CLT-S

HY57V643220CLT-S 技术参数

HY57V643220CLT-S 数据手册

与HY57V643220CLT-S相关器件

与HY57V643220CLT-S相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

HY57V643220CLT-S

HY57V643220CLT-S 技术参数

HY57V643220CLT-S 数据手册

与HY57V643220CLT-S相关器件

与HY57V643220CLT-S相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？