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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSOP54,.46,32 |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.43 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 5 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 22.22 mm | 内存密度： | 67108864 bit |
| 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 54 | 字数： | 4194304 words |
| 字数代码： | 4000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4MX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP2 |
| 封装等效代码： | TSOP54,.46,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.16 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HY57V641621TC-8 | ETC |
获取价格 |
x16 SDRAM |
|
| HY57V643220CLT-43 | ETC |
获取价格 |
x32 SDRAM |
|
| HY57V643220CLT-47 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V643220CLT-5 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V643220CLT-55 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V643220CLT-55I | ETC |
获取价格 |
SDRAM|4X512KX32|CMOS|TSSOP|86PIN|PLASTIC |
|
| HY57V643220CLT-5I | ETC |
获取价格 |
x32 SDRAM |
|
| HY57V643220CLT-6 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
|
| HY57V643220CLT-6I | ETC |
获取价格 |
SDRAM|4X512KX32|CMOS|TSSOP|86PIN|PLASTIC |
|
| HY57V643220CLT-7 | HYNIX |
获取价格 |
4 Banks x 512K x 32Bit Synchronous DRAM |
|
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