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HY514404BSLT-60

更新时间: 2024-09-09 20:33:47
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 346K
描述
EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20

HY514404BSLT-60 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP包装说明:TSOP2, TSOP20/26,.36
针数:20Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FAST PAGE WITH EDO最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G20JESD-609代码:e0
长度:17.14 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:1MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP20/26,.36封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大待机电流:0.0002 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.09 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:7.62 mm
Base Number Matches:1

HY514404BSLT-60 数据手册

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