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HY514407BR-50

更新时间： 2024-09-09 14:38:03

品牌	Logo	应用领域
海力士 - HYNIX		动态存储器 ISM频段光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	234K
描述
EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24

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HY514407BR-50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSOP2-R,	针数：	26
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G24
JESD-609代码：	e6	长度：	17.14 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	24
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2-R	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY514407BR-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
HY514407BSLJ-50	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
HY514407BSLJ-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
HY514407BSLR-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24
HY514407BSLT-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
HY514407BSLT-70	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
HY514407BT-60	HYNIX	获取价格	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
HY514410AJ50	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY514410AJ-50	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
HY514410AJ60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM