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HY514410ALJ-70

更新时间： 2024-11-01 15:43:39

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海力士 - HYNIX		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	504K
描述
Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20

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HY514410ALJ-70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOJ	包装说明：	SOJ, SOJ20/26,.34
针数：	20	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.5	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-J20	JESD-609代码：	e0
长度：	17.15 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装等效代码：	SOJ20/26,.34	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	1024
座面最大高度：	3.76 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.0002 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.1 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	J BEND	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HY514410ALR50	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY514410ALR60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY514410ALR70	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY514410ALR-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/20
HY514410ALT50	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY514410ALT-50	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 50ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
HY514410ALT60	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY514410ALT-60	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
HY514410ALT70	ETC	获取价格	x4 Fast Page Mode DRAM
HY514410ALT-70	HYNIX	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20