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HY29F040P-120I

更新时间: 2024-09-17 05:57:07
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 545K
描述
Flash, 512KX8, 120ns, PDIP32, PLASTIC, DIP-32

HY29F040P-120I 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DIP
包装说明:PLASTIC, DIP-32针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.58
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T32
长度:42.037 mm内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
编程电压:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:4.826 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

HY29F040P-120I 数据手册

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