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HY29F040T1-120C

更新时间: 2024-11-10 10:26:19
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX ISM频段光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 545K
描述
Flash, 512KX8, 120ns, PDSO32, TSOP-32

HY29F040T1-120C 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP-32针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.51风险等级:5.49
最长访问时间:120 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e6长度:18.4 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行:PARALLEL编程电压:5 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:TIN BISMUTH端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
类型:NOR TYPE宽度:8 mm
Base Number Matches:1

HY29F040T1-120C 数据手册

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