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HY29F080G-12I PDF预览

HY29F080G-12I

更新时间： 2024-09-16 19:23:19
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
40页 425K
描述
Flash, 1MX8, 120ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44

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HY29F080G-12I 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：PLASTIC, SOP-44
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.51
风险等级：5.91最长访问时间：120 ns
其他特性：MINIMUM 100000 PROGRAM/ERASE CYCLES命令用户界面：YES
数据轮询：YESJESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：28.2 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
部门数/规模：16端子数量：44
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装等效代码：SOP44,.63封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES座面最大高度：2.8 mm
部门规模：64K最大待机电流：0.000005 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.06 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：YES
类型：NOR TYPE宽度：13.3 mm
Base Number Matches：1

HY29F080G-12I 数据手册

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HY29F080  
8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory  
KEY FEATURES  
n 5 Volt Read, Program, and Erase  
– Minimizes system-level power  
requirements  
n Sector Group Protection  
– Sectors may be locked in groups of two to  
prevent program or erase operations  
within that sector group  
n High Performance  
– Access times as fast as 55 ns  
n Low Power Consumption  
– 15 mA typical active read current  
– 30 mA typical program/erase current  
– 5 µA maximum CMOS standby current  
n Compatible with JEDEC Standards  
– Package, pinout and command-set  
compatible with the single-supply Flash  
device standard  
n Temporary Sector Unprotect  
– Allows changes in locked sectors  
(requires high voltage on RESET# pin)  
n Internal Erase Algorithm  
– Automatically erases a sector, any  
combination of sectors, or the entire chip  
n Internal Programming Algorithm  
– Automatically programs and verifies data  
at a specified address  
– Provides superior inadvertent write  
protection  
n Sector Erase Architecture  
– Sixteen equal size sectors of 64K bytes  
each  
n Fast Program and Erase Times  
– Byte programming time: 7 µs typical  
– Sector erase time: 1.0 sec typical  
– Chip erase time: 16 sec typical  
n Data# Polling and Toggle Status Bits  
– A command can erase any combination of  
sectors  
– Supports full chip erase  
– Provide software confirmation of  
completion of program or erase  
operations  
n Erase Suspend/Resume  
– Temporarily suspends a sector erase  
operation to allow data to be read from, or  
programmed into, any sector not being  
erased  
n Ready/Busy# Pin  
– Provides hardware confirmation of  
completion of program and erase  
operations  
n Minimum 100,000 Program/Erase Cycles  
n Space Efficient Packaging  
– Available in industry-standard 40-pin  
TSOP and 44-pin PSOP packages  
GENERAL DESCRIPTION  
LOGIC DIAGRAM  
The HY29F080 is an 8 Megabit, 5 volt-only CMOS  
Flash memory organized as 1,048,576 (1M) bytes  
of eight-bits each. The device is offered in indus-  
try-standard 44-pin PSOP and 40-pin TSOP pack-  
ages.  
20  
8
A[19:0]  
RESET#  
CE#  
DQ[7:0]  
RY/BY#  
The HY29F080 can be programmed and erased  
in-system with a single 5-volt VCC supply. Inter-  
nally generated and regulated voltages are pro-  
vided for program and erase operations, so that  
the device does not require a high voltage power  
supply to perform those functions. The device can  
also be programmed in standard EPROM pro-  
grammers. Access times as fast as 70ns over the  
full operating voltage range of 5.0 volts ± 10% are  
offered for timing compatibility with the zero wait  
state requirements of high speed microprocessors.  
OE#  
WE#  
Revision 6.0, January 2000  
1234567...40

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